RAM相關資料

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PC1600(DDR 200Mhz)

PC2100(DDR 266Mhz)

PC2700(DDR 333Mhz)

PC3200(DDR2 400Mhz)

PC4200(DDR2 533Mhz)



1.CL（CAS Latency，tCL）：行位址控制器延遲時間

或稱CAS Latency（Column Address Strobe Latency） Time、CAS Timing Delay。

tCL是：從已經定址的行，到達輸出暫存器的資料所需的時序數。

CPU在存取DRAM時，會先動到RAS（列），然後在動到CAS（行），所以RAS第一次會用到，接下來如果都是存取同一行，就只會動到CAS，因此CAS Latency的時序設定影響系統最劇。

而且記憶體模組商通常會把最佳的CL值標示在標籤上。

SPD晶片會記錄此值。





2.RCD（RAS-to-CAS Delay，tRCD）「列位址至行位址延遲時間」

或稱RAS to CAS Delay、Active to CMD。tRCD是：在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時序數。

對DDR2來說，tRCD值就等於「RAS-to-CAS command interval值」＋「AL值」。SPD晶片會記錄此值。



3.RP（RAS Precharge Time，tRP）：列位址控制器預充電時間

或稱RAS Precharge、Row Precharge、Precharge to active。

tRP是：對迴路作預充電所需的時序數，以決定列位址。SPD晶片會記錄此值。







4.RAS（Row Active Time，tRAS）：「列動態時間」

或稱Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。

tRAS是：當一顆記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址時，所造成的延遲時序。SPD晶片會記錄此值。



而您所說標示CL-RCD-RP-RAS值，那一種會比較好，您必須要先去了解它真正的涵意為何，才能去選擇您所要的記憶體喔!!



例如：4-5-5-13，表示：第一個tCL是4cycles第二個是tRCD（列選擇到行選擇的延遲為5cycles，換列時會用到），第三個tRP（列選擇充電延遲是5cycles），第四個是RAS（列動態時間為13cycles，動到時會用到）。







所以系統在讀取一行時，最好的狀況只要13cycles，而最差情況則要13＋5＋5＝23cycles。接下來讀取列時，只要花CL值也就是4cycles即可。